场效应管的问题点解答

场效应管的问题点解答1场效应管的性能与双极型三极管比较具有哪些特点答：场效应管是另一种半导体放大器件在场效应管中只是多子参与导电，故称为单极型三极管；而普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管由于少数载流子的浓度易受温度的影响，因此，在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者2. 双极型三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的因此,基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达109〜10七高输入电阻是场效应管的突出优点3. 场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比双极型三极管强4场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作且便于集成在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛2场效应管的伏安特性如何表示试以N沟道结型场效应管为例，说明场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性有和区别答：场效应管的伏安特性用输出特性(又称漏极特性)Id=f(Vds)|Vgs=常数和转移特性Id=f(Vgs)|Vds=常数表示。

它们都反映了场效应管工作的同一物理过程，转移特性可以直接从输出特性上用作图法� 一对应地求出N沟道结型场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性相比有类似之处，但有区别，详见表1・3. 23何为场效应管的开启电压Vt和夹断电压Vp在图1.3.3(a)和(b)所示场效应管的输出特性曲线上如何确定其值答：对于增强型绝缘栅型场效应管(MOSFET)，在Vgs=0时不存在导电沟道，只有当Vgs达到开启电压Vt时才有漏极电流Id因此，在输出特性中，Id大于或等于零(即开始出现旧)时所对应的Vgs值即为开启电压计一般，N沟道增强型MOSFET的Vt值为正值，P沟道的Vt值为负值图1.3.3 (a)所示为P沟道增强型MOSFET的输出特性曲线，由图可知该管的开启电压 Vt=-2V对于结型场效应管(JFET)和耗尽型绝缘栅型场效应管(MOSFET)，当Vgs=0时已存在导电沟道，栅源电压Vgs等于夹断电压Vp时，沟道夹断，漏极电流Id=0o ―般 N沟道FET的Vp值为负值，而P沟道FET的Vp值为正值图1.3.3 (b )所示为N沟道JFET的输出特性曲线根据以上分析，Id=0所对应的Vgs值为夹断电压，故Vp=-5V。

由于可变电阻区和饱和区的分界线是预夹断点的轨迹，预夹断时，Vgd=Vp因此，在输出特性上，用Vds的值来表示预夹断点时，可求得：Vds=Vdg+Vgs=Vgs-Vgd=Vgs-Vp故由预夹断轨迹，也可求得Vp例如，在图1・3・3 (b)中，Vgs=OV那条曲线与预夹断分界线交点所对应的Vds值就是-Vp,即-Vp=5V；而Vgs=-2V那条曲线与预夹断分界线交点所对应的Vds值减去Vgs也是一 Vp, 可得出-Vp=Vds-Vgs=3V-(-2)V=5V余此类推4场效应管有许多类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，不同类型的场效应管各极间所加电压极性也不相同，试总结它们的规律答：场效应管的种类很多，有结型FET、耗尽型MOSFET、增强型MOSFET，每一类型又有P沟道和N沟道之分各种类型场效应管的符号和特性曲线见表1・3・4 (a)为了保证它们工作在饱和区(即放大区)起放大作用，Vgs和Vds的极性有如下规律1. Vds值的极性取决于导电沟道的类型凡是N沟道，载流子是电子，欲使电子向漏极漂移运动，Vds必为正值；凡是P沟道，载流子是空穴，欲使空穴向漏极漂移运动，Vds必为负值2. Vgs值的极性取决于工作方式和导电沟道的类型对于结型场效应管，要求栅源极间加反向偏置电压。

如果是N沟道，栅极为P型半导体，为使PN结反偏，要求VgsW0；如果是P沟道，要求VgsN0对于绝缘栅型MOSFET，如果是增强型N沟道，为了吸引电子形成N沟道，栅极必须加正电压，即VgsNO如果是耗尽型N沟道，为了排斥沟道中的电子，使沟道变窄，栅极必须加负电压，即VgsW0；为了加宽沟道，吸引更多电子到衬底表面来，栅极必须加正电压，即Vgs>O； P沟道则相反综上所述，结型场效应管中Vgs和Vds反极性；增强型MOFETS中Vgs与Vds同极性；耗尽型MOFETS中有两种情况，视加宽还是缩减沟道而定，可以是正偏、零偏或反偏见表 l • 3 • 4 (b)o3 Vp和Vt的正负极性取决于导电沟道类型结型场效应管和耗尽型MOSFET存在夹断电压Vp, N沟道Vp为负值，P沟道为正值；增强型MOSFET存在开启电压Vt, N沟道Vt为正值，P沟道为负值5场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效应管放大电路的偏置电路有何特点它有几种偏置方式答：场效应管偏置电路的特点是：1 .场效应管是电压控制器件，因此，放大电路只要求建立合适的偏置电压V(GS), 不要求偏置电流；2. 不同类型的场效应管，对偏置电压的极性有不同要求如JFET必须是反极性偏置，即V(GS)与V(DS)极性相反，增强MOSFET的V(GS)和V(DS)必须是同极性偏置，耗尽型MOSFET的V(GS)可正偏、零偏或反偏；3. 场效应管的跨导gm都较低，对放大性能不利，因此，必须设置较高的静态工作点。

为了减小静态工作点受温度变化的影响，常采用稳定工作点的电路基于上述特点，必须根据不同的场效应管选用不同的偏置电路在分立元件的场效应管放大电路中，偏置电路有零偏压、固定偏压、自偏压、混合偏置等形式；在集成电路平常采用不同的电流源作为偏置电路零偏压电路只适于耗尽型MOSFET放大电路；固定偏压适于所有的场效应管放大电路；自偏压适于JFET和耗尽型MOSFET放大电路；混合偏置既包含了固定偏压又包含了自偏压，适于所有的场效应管放大电路表2. 6.l列出了场效应管放大电路的各种偏置电路及Q点计算式6场效应管放大电路的组成原则与普通三极管电路价的组成原则基本相同试判断图2. 6. 2所示的场效应管放大电路能否进行正常放大，并说明理由答：判断一个场效应管放大电路对输入信号能否进行正常放大的原则，与判断三极管放大电路对输入信号能否进行正常放大的原则基本一样，也就是要有适当的直流偏置和有畅通的信号输入、输出回路根据此原则对图2. 6. 2判断如下图2-6. 2 (a)所示电路对信号不能正常放大，因为管子T为N沟边结型场效应管，要求偏置电压V(GS) V0才能正常放大，而在本电路中V(GS) >02 (b)所示电路对信号不能正常放大，因为管子T为增独型PMOS管，要大V(GS)<=V(T)才能正常放大，而在本电路中采用自偏置电路结构，不能建立正常的偏置电压 V(GS)。

图2. 6.2(c)所示电路只要选择合适的静态工作点和有适当大小的输入信号，就能保证对信号讲行不失真的放大，因为管子T为耗尽型NMOS管，电路采用电阻分压式固定偏置电路，偏置电压V(GS)>0, V(DS)>0,而且有正确的信号输入、输出回路，满足了正常放大的基本条件图2.6.2(d)所示电路只要选择适当的静态工作点和有适当大小的输入信号，就能保证该放大电路不失真地放大因为，管子T为耗尽型NMOS管，电路采用自偏置结构，其偏置电压V(GS)<0, V(DS)>0,而且有正确的信号输入、输出回路，可满足正常放大的基本条件图2.6.2(e)所示电路只要选择适当的静态工作点和有适当大小的输入信号就能保证不失真的放大因为，管子T为增强型PMOS管，电路采用电阻分压式固定偏置方式，可通过选用合适的Rg1,Rg2,Rs获得V(GS)<=V(T)，而且V(DS)<0,又有正确的信号输入、输出回路，可满足正常放大的基本条件场效应管的检测和使用来源：21ic整理关键字：一、用指针式万用表对场效应管进行判别⑴用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在RX1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止2) 用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏具体方法：首先将万用表置于RX10或RX100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于RX10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测3) 用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的RX100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差;表针摆动较大，表明管的放大能力大;若表针不动，说明管是坏的根据上述方法，我们用万用表的RX100档，测结型场效应管3DJ2F先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600 Q，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kQ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小）,也可能向左摆动（电阻值增加）。

这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动;少数管的RDS减小，使表针向右摆动但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力第二，此方法对MOS场效应管也适用但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行⑷用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。

当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了 D、S、G1、G2管脚的顺序5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的将万用表的欧姆档选在RX10kQ的高阻档，此时表内电压较高当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大二、.场效应管的使用注意事项(1) 为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值2) 各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压，等等3) MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。

尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮4) 为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时，先焊源极;在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全;在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出以上安全措施在使用场效应管时必须注意录入编辑：电路图网⑸在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等对于功率型场效应管，要有良好的散热条件因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。