一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法
文档格式：DOCX| 2 页|大小 7.74KB|积分 20|2022-12-28 发布|文档ID：178463627
19)中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN110923812A(43)申请公布日2020.03.27(21)申请号 CN201911181804.5(22)申请日 2019.11.27(71)申请人 福建福晶科技股份有限公司地址350003福建省福州市软件大道89号F区9号楼(72)发明人 王昌运;陈伟;谢发利;张星;陈秋华(74)专利代理机构代理人(51)Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法(57)摘要一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法利用 T型铂金坩埚生长出高质量BBO晶体法律状态法律状态公告日2020-03-27公开法律状态信息法律状态公开。
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