基本放大电路-场效应管放大电路

模拟电子技术基础,北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,主讲：赵建辉,第二章 基本放大电路(5.场效应管放大电路分析),2.1 放大电路的概念及性能指标,2.2 基本共射放大电路工作原理,2.3 放大电路分析方法,2.4 放大电路工作点的稳定,2.5 三种基本晶体管放大电路,2.6 晶体管派生放大电路,2.7 场效应管放大电路,第2章 基本放大电路,本节课内容,2.3 放大电路的分析方法,重点,：,场效应管放大电路分析,难点,：,1.FET工作原理与特性曲线,1.FET等效电路,2.动态分析,3.对比分析(与BJT比较),重点难点,问题的提出:,1.FET基本电路,（直流,Q点设置,:标准电路）,2.如何定量分析对比?,（,分析方法,:FET 等效模型）,3.有何不同?(与BJT比较理解),（,分析内容,:与BJT对比分析A,Ri,Ro）,2.7.FET放大电路分析,复习,N沟道,P沟道,增强型,(,BJT类似,),耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,（耗尽型）,FET,场效应管,JFET,结型,MOSFET,绝缘栅型,(IGFET),分类：,耗尽型,：场效应管没有加偏置电压时，就,有,导电沟道存在,增强型,：场效应管没有加偏置电压时，,没有,导电沟道,P沟道,(a)转移特性；(b)输出特性,增强型,(b)输出特性,场效应管的转移特性和输出特性,P型,N型,N型和P型关系,:,180度奇对称,2.7.1 FET的三种接法,与BJT比较,BJT的三种接法,I,E,=(1+)I,B,共源(s),共漏(d),共栅(g),2.7.2 FET工作点设置及静态分析,I,GS,=0,基本共源电路,方法1:做图:,一、基本,共源,电路,(以,N-增强型,为例,与NPN-BJT类似),静态工作点Q,交点,方法2:计算:,二、,自给偏压,(耗尽型):,结型N沟道(,耗尽型,),绝缘,栅,N沟道,耗尽型,(U,GS,可正可负,),(U,GS,0),注意:必须使FET工作在恒流区,可否省略?,三、,分压式,偏置(增强型),分压式偏置电路,(,Rg很大,增加Ri,),联立求得(,U,GSQ,和,I,DQ,),注意:必须使FET工作在恒流区,工作点计算,:(,I,G,=0),栅极电位:,源极电位:,栅源电压:,2.7.3 FET放大电路动态分析,1.分析方法:,先静态，后动态,，与,三极管h参数类似动态分析采用,等效电路法,2.FET类型多，主要以增强型N沟道为例，重点分析,共源,和,共漏,2种基本接法(,共栅,类似),一、FET,低频小信号,模型：,2.,线性化,处理(小信号时,Q点线化),4.参数意义,3.交流表示(变化部分),1.输入输出关系(,非线性,),跨导(mS),R,DS:,漏源动态电阻(几十-几百K,),参数如何求取？,跨导,g,m求取：,代入,小信号处,增强型N-沟道为例：,与工作点相关,参数意义与图解,转移特性与,g,m,输出特性与,r,d,BJT 与 FET模型对比,全模型,方程,简化模型,二、FET,基本共源,电路分析：,静态分析：,动态分析：,阻容耦合,共源,电路分析：,（,P1342.23题,）,静态分析,:,联立求得(,U,GSQ,和,I,DQ,),动态分析：,共射比较,三、FET,基本共漏,放大电路分析：,静态分析：,动态分析：,Ro如何求？,输入,短路,输出加压,产生,Io:,Us=Uo,U,g,=U,d,U,gs,=-U,o,I,DS,=g,m,U,gs,=-g,m,U,o,I,SD,=-I,D,s=g,m,U,o,Ro如求法？,Ro很小，,电压跟随,开路,压控电流源等效电阻,BJT与FET放大电路,共射（源）,Ri大，Ro小,(电压放大),共集（漏）,Ri最大，Ro最小,(电压跟随器),Au1,共基（栅）,Ri小，Ro大,(高频特性好),BJT与FET放大电路比较,共射（源）,共集（漏）,跟随器,共基（栅）,不变,作业,P132,2.13,2.14,2.15,2.21,2.22,2.23,。