现代半导体器件物理与工艺

现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1 1Physics and Technology of Modern Semiconductor Devices2004,7,30现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2 2晶体生长与外延晶体生长与外延对分立器件而言，最重要的半导体是硅和砷化镓本小节主要讨论这两种半导体单晶最常用的技术一种是单晶生长，获得高质量的衬底材料；另外一种时“外延生长”，即在单晶衬底上生长另一层单晶半导体（同质或异质材料）起始材料多晶半导体单晶晶片SiSiO2GaAsGa，As蒸馏与还原合成晶体生长晶体生长研磨、切割抛光研磨、切割抛光从原料到磨光晶片的制造流程现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3 3CZ法生长单晶硅起始材料法生长单晶硅起始材料高纯度的硅砂与不同形式的炭（煤、焦炭、木片）放入炉中，产生反应()2()()()()SiC sSiOsSi sSiO gCO g此步骤获得冶金级硅，纯度98%，然后与HCl反应32()3()300()()Si sHCl gCSiHCl gHgSiHCl3沸点32度，分馏提纯，得到电子级硅32()()()3()SiHCl gHgSi gHCl g现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4 4Cz直拉法直拉法现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 5 5现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 6 6掺杂物质的分布掺杂物质的分布由于晶体是从融体中拉出来的，混合在晶体中（固态）的掺杂浓度通常和在界面出的融体（液体）中的是不同的，此两种状态下的掺杂浓度的比例定义为平衡分凝系数0slCkCCs和Cl分别是在固态和液体界面附近的平衡掺杂浓度。

1)现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 7 7现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 8 8融体的初始重量为M0，初始掺杂浓度为C0（每克的融体中掺杂的重量）生长过程中，当已生长晶体的重量为M时，留在融体中的掺杂数量（重量）为S当晶体增加dM的重量，融体相对应减少的掺杂（dS）为sdSC MCs为晶体中的掺杂浓度（重量表示）此时液体中剩下的重量为M0M，液体中的掺杂浓度Cl0lSCMM(2)(3)现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 9 9结合（2）、（3），将（1）代入可得00dSdMkSMM 若初始掺杂重量为C0M0，积分（4）可得(4)00000SMC MdSdMkSMM(5)解出（5）式，且结合（3）式可得01000(1)ksMCk CM(6)现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1010现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1111有效分凝系数有效分凝系数当晶体生长时，掺杂剂会持续不断地被排斥而留在融体中(K01)。

如果排斥率比参杂的扩散或搅动而产生的传送率高时，在界面的地方会有浓度梯度产生，如图所示0slCkC其分凝系数为现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1212定义一有效分凝系数selCkC考虑一小段宽度为几乎粘滞的融体层，层内只有因拉出需要补充融体而产生的流动层外参杂浓度为常数Cl，层内参杂浓度可用第3章的连续性方程式来表示在稳态式，右边第二项、第三项是有意义的(C代替np，v代替nE)220dCd CvDdxdx解为/12vx DCAeA现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 13130(0)0lsxdCDCC vdx第一个边界条件是在x0时，CCl(0)；第二个边界条件式所有掺杂总数守恒，即流经界面的掺杂流量和必须等于零考虑掺杂原子在融体中的扩散（忽略在固体中的扩散），可以得到将边界条件代入/12vx DCAeA且在x 时CCl，可以得到/(0)vDlslsCCeCC现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1414因此0/00(1)sevDlCkkCkk e在晶体内的均匀掺杂分布（ke1），可由高的拉晶速率和低的旋转速率获得。

另外一种获得均匀分布的方法是持续不断的加入高纯度的多晶硅于融体中，使初始的掺杂浓度维持不变现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1515悬浮区熔法悬浮区熔法悬浮区熔法（float-zone）可以生长比一般Cz法生长单晶所含有的更低杂质浓度的硅生长的晶体主要用于高电阻率材料的器件，如高功率、高压等器件现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 16160()eeddk Sk SdSCAdxdxCAdxLL杂质浓度为C0，L是熔融带沿着x方向的长度，A是晶棒的截面积，d是硅的密度，S式熔融带中所存在的掺杂剂总量当此带移动距离dx，前进端增加的掺杂数量为C0dAdx，然而从再结晶出所移除的掺杂剂数量为ke(Sdx/L)，因此有：而且000/xSSdedSdxCAk S LS0C0 d AL是当带的前进端形成时的掺杂剂数量现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1717从积分式可得000/exp()/ededek xCAk SLLCAk S L或/01(1)ek x LdeeC ALSkk/()sedCk SAL因为 ，因此/01(1)ek x LseCCk现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1818现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 1919现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2020如果需要的是掺杂而非提纯时，掺杂剂引入第一个熔区中S0ClAdL，且初始浓度C0小到几乎可以忽略，由前面的积分式可得0expek xSSL因为 ，从上式可得 sedSCkAL/ek x LselCk C e因此，如果Kex/L很小，则除了在最后凝固的尾端外，Cs在整个距离中几乎维持定值。

现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2121对某些开关器件而言，如高压可控硅必须用到大面积芯片，对均与度要求较高采用中子辐照工艺313131141415Si 2.62h PSi中子此过程中部分硅嬗变成为磷而得到n型掺杂的硅现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2222现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2323砷化镓晶体的生长技术起始材料砷化镓晶体的生长技术起始材料砷化镓的起始材料是以物理特性和化学特性均很纯的砷和镓元素和合成的多晶砷化镓因为砷化镓是由两种材料所组成，所以它的性质和硅这种单元素材料有极大的不同可以用“相图”来描述现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2424不像硅可以在熔点时有相对较低的蒸汽压（1412时约为10-1Pa），砷在砷化镓的熔点（1240）时有高出许多的蒸汽压在气相中砷以两种主要形式存在：As2及As4。

现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2525砷化镓生长工艺砷化镓生长工艺合成砷化镓通常在真空密闭的石英管系统中进行，此管有2个温度区高纯度的砷放置在石墨舟中加热到601-620；而高纯度的镓放置在另一个石墨舟中，加热到稍高于砷化镓熔点（1240-1260）的温度此情形下，会形成过多的砷蒸汽压，一来会使砷蒸汽压输送到镓的熔融态进而转变成砷化镓二来可以防止在炉管形成的砷化镓再次分解当熔融态冷却时，就可以产生高纯度的多晶砷化镓有两种技术可以生长砷化镓：Cz法和布理吉曼法Cz法与硅生长类似，同时它采用了液体密封技术防止在长晶时融体产生热分解一般用液体氧化硼（B2O3）将融体密封起来氧化硼会溶解二氧化硅，所以用石墨坩埚代替凝硅土坩埚现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2626在生长砷化镓晶体时，为了获得所需的掺杂浓度，镉和锌常被用来作为P型掺杂剂，而硒、硅和锑用来作n型掺杂剂现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2727布理吉曼法布理吉曼法左区带保持在610 来维持砷所需的过压状态，而右区带温度略高于砷化镓熔点（1240）。

当炉管向右移动时，融体的一端会冷却，通常在左端放置晶仔以建立特定的晶体生长方向融体逐步冷却，单晶开始在固-液界面生长直到当今砷化镓生长完成现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2828材料特性晶片切割材料特性晶片切割晶体生长后，先区晶仔和晶锭的尾端接着磨光晶锭以便确定晶片直径然后，沿着晶锭长度方向磨出一个或数个平面这些平面标示出晶锭的特定晶体方向和材料的导电形态主标志面最大的面，用于机械定向器去固定晶片的位置并确定器件和晶体的相对方向次标志面较小的面，用来标识晶体的方向和导电形态现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 2929现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3030磨光、标识后的晶锭切割切割决定四个晶片参数：表面方向、厚度、倾斜度和弯曲度切割后，用氧化铝和甘油的混合液研磨，一般研磨到2m的平坦度现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3131晶体特性晶体缺陷晶体特性晶体缺陷点缺陷替代、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。

现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3232线缺陷，亦称位错刃形和螺旋现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3333面缺陷孪晶和晶粒间界反映孪晶旋转孪晶小角度晶界现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3434体缺陷杂质或掺杂原子的析出现象这些缺陷的产生是由在主晶格中的固溶度引起的现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3535材料特性材料特性现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3636另外，因固溶度造成析出的氧，可利用来吸杂吸杂指从晶片上制造器件的区域除去有害杂质或缺陷的过程当晶片受高温处理，氧会从表面挥发，造成表面附近有较低的氧含量，形成了无缺陷区，用于制造器件现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3737晶体外延晶体外延外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层。

衬底晶片可以作为晶体籽晶，与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多（3050%），常见的外延工艺有：CVD和MBE化学气相沉积（CVD）也称为气相外延（Vaporphase epitaxy，VPE）是通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺，CVD工艺包括常压（APCVD）和低压（LPCVD）现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3838现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 3939硅的CVD42()2()()4()SiClgHgSi gHCl g同时伴随额外的竞争反应42()()2Si()SiClgSi sClg在外延生长时，掺杂剂和四氯化硅是同时加入的，气态的乙硼（B2H6）被用作p型掺杂剂，而磷烷（PH3）被用作n型掺杂剂气态掺杂剂通常用H2来稀释，以便合理控制流量而得到所需的掺杂浓度现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4040现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4141砷化镓的CVD23246412AsGaClHGaAsHClAs4是有砷烷分解而来34246AsHAsH氯化镓是由下来反应而来326223HClGaGaClH现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4242反应物和载气（如H2）一起被引入反应器中，而砷化镓的晶片一般维持在650到850的范围。

必须有足够的砷的过蒸汽压，以防止衬底和生长层的热分解现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4343金属有机物气相沉积（MOCVD），是一种以热分解反应为基础的气相外延法，不像传统的CVD，MOCVD是以其先驱物的化学本质来区分次方法对不形成稳定的氢化物或卤化物但在合理的气压下会形成稳定金属有机物的元素提供了一个可行之道MOCVD已经广泛应用在生长III-V族和II-VI族化合物异质外延上33 34()3AsHGa CHGaAsCH现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4444分子束外延（MBE）是在超高真空（10-8Pa）一个或多个热原子或热分子束和晶体表面反应的外延工艺MBE能够非常精确地控制化学组成和参杂浓度厚度只有原子层量级的单晶多层结果可用MBE制作因此，MBE法可用来精确制作半导体异质结构，其薄膜层可从几分之一微米到单层原子对砷化镓而言，厚度一般在1微米现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4545外延层的构造和缺陷外延层的构造和缺陷晶格匹配及形变层外延晶格匹配及形变层外延现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4646外延层缺陷外延层缺陷半导体外延层的缺陷会降低器件的性能。

例如，缺陷会降低迁移率和增加漏电流外延层的缺陷可以归纳为5种：（1）从衬底来的缺陷这些缺陷从衬底传到外延层，要在无位错缺陷的半导体衬底2）从界面来的缺陷在衬底和外延层的界面的氧化层沉淀或任何形式的污染物都可能形成方向失配的聚集或包含堆垛层错的结核为了避免此类缺陷，衬底的表面需彻底的清洁3）沉淀或位错环其形成是因为过饱和的掺杂剂或其他杂质造成的含有极高有意、无意的掺杂剂浓度或其他杂质的外延层极易有此缺陷4）小角晶界和孪晶在生长时，任何不当方位的外延薄膜的区域都可能会相遇结合而形成这些缺陷5）刃位错是在两个晶格常数布匹配半导体的异质外延中形成的如果两者的晶格均很硬，它们将保持原有的晶格间距，界面将会含有错配或刃位错的错误键结的原子行刃位错亦可在形变层厚度大于临界厚度时形成现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延 4747Thanks forThanks forlisteninglistening。