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插入损耗测试

文档格式:DOCX| 4 页|大小 91.69KB|积分 20|2022-11-24 发布|文档ID:171129732
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  • EMI 电源滤波器插入损耗的测量方法EMI滤波器尚没有产品类国标,只是企业标准,EMI电源滤波器的主要性能 指标一般包括插入损耗、频率特性、阻抗匹配、额定的电流值、绝缘电阻值、漏 电流、物理尺寸及重量、使用环境以及本身的可靠性在使用时考虑最多的是额 定的电压及电流值、插入损耗、漏电流三项本文主要介绍 EMI 滤波器插入损耗 的测量方法EMI 滤波器插入损耗测量方法是根据 CISPR17 (1981)出版物提出的滤波器标 准测量方法包括共模、差模、常模和0.1Q / 100Q阻抗测量方法1. 共模插入损耗标准测量方法根据CISPR17 (1981)出版物B6提出的共模插入损耗标准测量方法(Asymmetrical Measurement),如图1.1所示根据插入损耗的定义,先要测量没有滤波器时, 负载 50Q 上的电压 V1 作为 0dB 的参考电压再测量有滤波器后,负载 500 上的 电压V2,通过频谱分析仪将20log(V1/V2)随频率变化的结果显示在屏幕上或通过 接口打印出来测量时注意,滤波器的输入端和输出端是并联的,目的是取得共 模插入损耗的平均值因为滤波器的 Cy 电容量尽管标称值和误差等级一样,其 实际值也不完全一样,电感尽管绕组匝数一样,但磁芯的磁导率误差和工艺上也 很难实现在绕制和装配时完全对称,因此采用平均值才有意义。

    滤波器测试电路 (b)#考电路图 1.1 共模插入损耗的典型测量方法2.差模插入损耗标准测量方法根据CISPR17( 1981)出版物B5提出的差模插入损耗标准测量方法(Symmetrical Meausurement),如图 2.1 所示分相器50QVVson團M -忖1 50Q[l测试电路4}赫考电路500 180* 分相器图 2.1 差模插入损耗的典型测量方法由于频谱分析仪(或标准信号发生器)输出、输入均采用对地非对称结构的50Q同轴 电缆,为了测量对地对称的差模插入损耗,需对频谱分析仪跟踪发生器的输出信 号(滤波器的输入信号)进行不对称 -对称变换,对频谱分析仪输入信号(滤波 器的输出信号)进行对称-不对称的逆变换,其他步骤同上3.常模插入损耗标准测量方法根据 CISPR17 (1981) 出版物 B7 提出的不对称测量方法 ( Unsymmetrical Measurement)又称常模(Normal Mode)测量,如图3.1所示图 3.1 常模插入损耗的测量方法与共模插入损耗测量电路相比,在 N 和地之间接入一个尚未被标准所批准 的50Q电阻常模也是经常用来表示差模的一种方法,尽管理论分析常模除了 有差模成分外,还含有共模成分。

    上述测量方法又称为50Q / 50Q系统测量方法,即源和负载阻抗均在50Q匹 配条件下测量它也是目前许多滤波器制造商传统沿用的测量方法用以上共、 差模插入损耗测量方法时需注意:(1) 由于测量仪器输出信号幅值在不同的频率有波动,所以没插入滤波器前的 0dB 校正,应该对所测频域的各主要频点逐点进行校对具备条件的,可进行计 算机编程进行自动校正2) 被测滤波器外壳应该接地良好,否则 MHz 以上测得的插入损耗相差很大3) 要确保滤波器输入,输出连接线之间有良好的隔离,以避免它们之间在高 频段产生射频耦合,给高频段测量带来很大误差4) 没有频谱分析仪,也可以用标准信号发生器和示波器来代替,但后者动态 范围小,在高频段的测量误差较大4. 0.1Q/100Q阻抗测量方法根据CISPR出版物4.222提出一种"近似”实际的测量方法在实际情况中,由于源阻抗和负载阻抗不可能是恒定的50Q,所以实际使用中的 滤波器插入损耗特性,与用50Q / 50Q系统测量获得的电源滤波器插入损耗特性 不尽相同,甚至差别很大CISPR出版物4.222提出一种近似实际的测量方法,是0.1Q/100Q及100Q/0.1Q系统测量方法,如图 4.1 所示。

    输入 IT输岀 输入 JT 输出 输入 1T输出4.1 0.1Q/100Q及100Q/0.1Q系统测量方法 这里,仅涉及10kHz〜30MHz范围内的插入损耗以上是目前插入损耗的主要测量方法,可根据条件选择合适的测量方法。

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