宁波半导体技术推广项目投资计划书【参考模板】

泓域咨询/宁波半导体技术推广项目投资计划书宁波半导体技术推广项目投资计划书xx有限公司目录第一章 行业、市场分析 7一、 陶瓷基板 7二、 掩膜版 8三、 封装材料 12第二章 背景及必要性 15一、 半导体材料 15二、 硅片 17三、 全面融入长三角一体化，建设高能级大都市区 23第三章 绪论 27一、 项目名称及建设性质 27二、 项目承办单位 27三、 项目定位及建设理由 28四、 报告编制说明 30五、 项目建设选址 32六、 项目生产规模 32七、 建筑物建设规模 33八、 环境影响 33九、 项目总投资及资金构成 33十、 资金筹措方案 34十一、 项目预期经济效益规划目标 34十二、 项目建设进度规划 34主要经济指标一览表 35第四章 建筑工程方案 37一、 项目工程设计总体要求 37二、 建设方案 37三、 建筑工程建设指标 40建筑工程投资一览表 41第五章 产品方案 42一、 建设规模及主要建设内容 42二、 产品规划方案及生产纲领 42产品规划方案一览表 42第六章 项目选址可行性分析 44一、 项目选址原则 44二、 建设区基本情况 44三、 巩固壮大实体经济，提升现代产业体系竞争力 48四、 项目选址综合评价 49第七章 法人治理 51一、 股东权利及义务 51二、 董事 55三、 高级管理人员 60四、 监事 62第八章 发展规划分析 65一、 公司发展规划 65二、 保障措施 69第九章 SWOT分析说明 72一、 优势分析（S） 72二、 劣势分析（W） 74三、 机会分析（O） 74四、 威胁分析（T） 76第十章 劳动安全生产 81一、 编制依据 81二、 防范措施 83三、 预期效果评价 89第十一章 建设进度分析 90一、 项目进度安排 90项目实施进度计划一览表 90二、 项目实施保障措施 91第十二章 节能方案 92一、 项目节能概述 92二、 能源消费种类和数量分析 93能耗分析一览表 93三、 项目节能措施 94四、 节能综合评价 95第十三章 投资方案分析 97一、 投资估算的依据和说明 97二、 建设投资估算 98建设投资估算表 102三、 建设期利息 102建设期利息估算表 102固定资产投资估算表 103四、 流动资金 104流动资金估算表 105五、 项目总投资 106总投资及构成一览表 106六、 资金筹措与投资计划 107项目投资计划与资金筹措一览表 107第十四章 经济效益及财务分析 109一、 基本假设及基础参数选取 109二、 经济评价财务测算 109营业收入、税金及附加和增值税估算表 109综合总成本费用估算表 111利润及利润分配表 113三、 项目盈利能力分析 113项目投资现金流量表 115四、 财务生存能力分析 116五、 偿债能力分析 116借款还本付息计划表 118六、 经济评价结论 118第十五章 风险评估分析 119一、 项目风险分析 119二、 项目风险对策 121第十六章 总结评价说明 123第十七章 附表 125建设投资估算表 125建设期利息估算表 125固定资产投资估算表 126流动资金估算表 127总投资及构成一览表 128项目投资计划与资金筹措一览表 129营业收入、税金及附加和增值税估算表 130综合总成本费用估算表 130固定资产折旧费估算表 131无形资产和其他资产摊销估算表 132利润及利润分配表 132项目投资现金流量表 133第一章 行业、市场分析一、 陶瓷基板随着功率电子产品技术进步，散热问题已成为制约其向着大功率与轻型化方向发展的瓶颈。

陶瓷基板作为新兴的散热材料，具有优良电绝缘性能，高导热特性，导热性与绝缘性都优于金属基板，更适合功率电子产品封装，已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料，广泛应用于LED、汽车电子、航天航空及军用电子组件、激光等工业电子领域对于陶瓷基板，需要通过其实现电气连接，因此金属化对陶瓷基板的制作而言是至关重要的一环，根据制备工艺及金属化方法不同，现阶段常见的陶瓷基板种类共有HTCC、LTCC、DPC、DBC和AMB等HTCC（HighTemperatureCo-firedCeramic，高温共烧陶瓷）：属于较早发展的技术，是采用陶瓷与高熔点的W、Mo等金属图案进行共烧获得的多层陶瓷基板但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制作成本相对昂，促使了LTCC的发展；LTCC（LowTemperatureCo-firedCeramic，低温共烧陶瓷）：LTCC技术共烧温度降至约850℃，通过将多个印有金属图案的陶瓷膜片堆叠共烧，实现电路在三维空间布线；DPC（DirectPlatingCopper，直接镀铜）：是在陶瓷薄膜工艺加工基础上发展起来的陶瓷电路加工工艺以陶瓷作为线路的基板，采用溅镀工艺于基板表面复合金属层，并以电镀和光刻工艺形成电路；DBC（DirectBondedCopper，直接覆铜）：通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成复合基板；AMB（ActiveMetalBrazing，活性金属钎焊）：AMB是在DBC技术的基础上发展而来的，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合。

与传统产品相比，AMB陶瓷基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好，极适用于连接器或对电流承载大、散热要求高的场景常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化铍(BeO)、氮化硼（BN）等Al2O3和AlN综合性能较好，分别在低端和高端陶瓷基板市场占据主流，而Si3N4基板由于综合性能突出，在高功率、大温变电力电子器件(如IGBT)封装领域发挥重要作用从目前市场综合价格和产品性能来看，Al2O3和AlN是最常见的两种基板虽然AlN的价格是Al2O3的4倍左右，但由于其高导热性和更好的散热性能，AlN是目前最常用的基板，其次是Al2O3二、 掩膜版掩膜版（Photomask），又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是下游产品制造过程中图形“底片”转移用的高精密工具，是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体光掩模是用于集成电路制造工序的重要器件，通过制作光掩膜底板、绘图、显影、蚀刻以及去除光致抗蚀剂等步骤，便成功制成掩膜版在透明玻璃板表面的遮光膜上蚀刻加工了非常微细的电路图案，成为对硅晶圆复刻电路时的原版，在光刻过程中，紫外线透过掩膜版，掩膜版上的图案在经过透镜缩小之后投射到硅晶圆上，便形成了微细图案。

掩膜版主要由基板和遮光膜组成，其中基板又分为树脂基板、玻璃基板，玻璃基板按照材质可分为石英玻璃基板、苏打玻璃基板等，石英玻璃性能稳定、热膨胀率低，主要用于高精度掩膜版制作遮光膜分为硬质遮光膜和乳胶，硬质遮光膜又分为铬、硅、氧化铁、氧化铝掩膜版从诞生之初至今，已经发展到第五代产品，分别经历了手工刻红膜、菲林版、干版、氧化铁、苏打和石英版，前四代产品有的已经被淘汰，有的仍在部分行业小范围使用，第五代苏打和石英掩膜版自20世纪70年代出现后，目前应用范围最广虽然现阶段无掩膜技术能满足一些精度要求相对较低的行业（如PCB板）中图形转移的需求，但因为其生产效率低下，所以对图形转移精度以及生产效率要求高的行业，仍然需要使用掩膜版，被快速迭代的风险低掩膜版产业链上游包括掩膜基板、光学膜、化学试剂和包装盒等辅助材料，中游为掩膜版制作，下游包括半导体（IC制造、IC封测、器件、LED芯片）、平板显示、触控和PCB等，终端应用包括消费电子、家用电器、汽车电子、物联网、医疗电子、工控等按用途分，光掩膜版可分为铬版（chrome）、干版、液体凸版和菲林其中，铬版由于精度高，耐用性好，被广泛用于IC、平板显示、PCB等行业；干版、液体凸版和菲林则主要被用于中低精度的LCD行业、PCB及IC载板等行业。

从下游应用来看，IC和平板显示占比最大，其中半导体占据60%，LCD占比23%，OLED占比5%，PCB占比2%受益下游平板显示和半导体需求增长拉动，全球掩膜版市场规模稳步提升根据Omdia数据，2016年全球平板显示掩膜版市场规模约为671亿日元，2019年增长至1010亿日元，CAGR为14.6%，2020年受益疫情影响下滑至903亿日元，随着市场逐渐复苏，预计2022年将达到1026亿日元根据SEMI数据，2017全球半导体掩膜版市场规模为37.5亿美元，2021年增长至46.5亿美元，预计2022年将达到49.0亿美元在工艺制程上，先进制程的半导体掩膜版占比也越来越高根据SEMI数据，45nm及以下制程2017年占比仅为13%，到2018年则提升至31%，45nm及以下制程占比稳步提升而整体来看，130nm制程占比54%，仍然是目前主流制程；28-90nm制程占比33%，展望未来，先进制程掩膜版占比有望持续提升总体来说，中国掩膜版厂商产品整体偏中低端，按经营模式可分为3类：第一类是科研院所，包括中科院半导体所、微电子所、中电科13/55/47所等；第二类是独立的掩膜版制造厂商，主要有清溢光电、路维光电、中国台湾光罩等；第三类是晶圆厂自己配套生产掩膜版，主要有中芯国际、华润微（迪思微）等。

展望未来，掩膜版发展趋势主要有3个方向：1）精度趋向精细化：平板显示领域，显示屏的显示精度将从450PPI（PixelPerInch，每英寸像素）逐步提高到650PPI以上，对平板显示掩膜版的半导体层、光刻分辨率、最小过孔、CD均匀性、套合精度、缺陷大小、洁净度均提出了更高的技术要求半导体领域，摩尔定律了继续有效，将朝着4nm及以下继续突破，这对与之配套的晶圆制造以及芯片封装掩膜版提出了更高要求，工艺制程要求将越来越高，先进制程占比有望越来越大未来掩膜版产品的精度将日趋精细化；2）尺寸趋向大型化：随着电视尺寸趋向大型化，带动面板基板逐步趋向大型化，直接决定了掩膜版产品尺寸趋向大型化；3）掩膜版厂商向上游产业链延伸：掩膜版的主要原材料为掩膜版基板，为了降低原材料采购成本，控制终端产品质量，掩膜版厂商已经开始陆续向上游产业链延伸，HOYA、LG-IT等部分企业已经具备了研磨/抛光、镀铬、光阻涂布等掩膜版全产业链的生产能力，路维光电和清溢光电则在光阻涂布方面实现了突破未来掩膜版行业内具有一定实力的企业，将逐步向上游产业链拓展三、 封装材料芯片封装工艺流程包括来料检查、贴膜、磨片、贴片、划片、划片检测、装片、键合、塑封、打标、切筋打弯、品质检验，最终是产品出货。

在这一过程中，就需要用到封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、粘接材料等封装材料，这些材料是芯片完成封装出货的重要支撑传统的IC封装采用引线框架作为IC导通线路与支撑IC的载体，连接引脚于导线框架的两旁或四周，如四侧引脚扁平封装（QuadFlatPackage，简称QFP）、方形扁平无引脚封装（QuadFlatNo-leads，简称QFN）等随着技术发展，IC的线宽不断缩小，集成度稳步提高，IC封装逐步向着超多引脚、窄节距、超小型化方向发展20世纪90年代中期，一种以球栅阵列封装（BallGridArray，简称BGA）、芯片尺寸封装（ChipScalePackage，简称CSP）为代表的新型IC高密度封装形式问世，从而产生了一种新的封装载体——封装基板在高阶封装领域，封装基板已取代传统引线框架，成为芯片封装中不可或缺的一部分，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电子连接，起着“承上启下”的作用；甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能封装基板在HDI板的基础上发展而来，是适应电子封装技术快速发展而向高端技术的延伸，作为一种高端的PCB，封装基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特点。

根据Prismark数据，2021年全球PCB行业产值为804.49亿美元，同比增长23.4%，预计2021-2026年全球PCB行业的复合增长率为4.8%下游应用中，通讯占比32%，计算机占比24%，消费电子占比15%，汽车电子占比10%，服务器占比10%从产品结构来看，IC封装基板和HDI板虽然占比不高，分别占比17.6%和14.7%，但却是主要的增长驱动因素2021年全球IC封装基板行业整体规模达141.98亿美元、同比增长39.4%，已超过柔性板成为印制电路板行业中增速最快的细分子行业2021年中国IC封装基板（含外资厂商在国内工厂）市场规模为23.17亿美元、同比增长56.4%，仍维持快速增长的发展态势预计2026年全球IC封装基板、HDI板的市场规模将分别达到214.35/150.12亿美元，2021-2026年的CAGR分别为8.6%/4.9%预计2026年中国市场IC封装基板（含外资厂商在国内工厂）市场规模将达到40.19亿美元，2021-2026年CAGR为11.6%，高于行业平均水平封装基板与传统PCB的不同之处在于两大核心壁垒：加工难度高、投资门槛高从产品层数、厚度、线宽与线距、最小环宽等维度看，封装基板未来发展将逐步精密化与微小化，而且单位尺寸小于150*150mm，是更高端的PCB，其中线宽/线距是产品的核心差异，封装基板的最小线宽/线距范围在10~130μm，远远小于普通多层硬板PCB的50~1000μm。

目前全球封装基板厂商主要分布在日本、韩国和中国台湾，根据Prismark和集微咨询数据，2020年封装基板市场格局较为分散，中国台湾厂商欣兴电子/南亚电路/景硕科技/日月光材料占比分别为15%/9%/9%/4%，产品主要有WB和FC封装基板；日本厂商揖斐电/新光电气/京瓷占比分别为11%/8%/5%，产品主要为FC封装基板；韩国厂商三星电机/信泰电子/大德电子占比分别为10%/7%/5%，产品主要为FC封装基板第二章 背景及必要性一、 半导体材料半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料按照工艺的不同，可分为晶圆制造材料和封装材料其中，晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩膜版、光刻胶、光刻胶配套材料、（通用）湿电子化学品、靶材、CMP抛光材料等封装材料主要有封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等按照代际，可分为第一代、第二代和第三代1）第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料主要用于制造集成电路，并广泛应用于手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光伏等产业2）第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域3）第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg>2.3eV）半导体材料主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等相比于第一代、第二代半导体材料，第三代半导体材料禁带宽度更宽，击穿电场更高、热导率更高、电子饱和速率更高、抗辐射能力更强，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料，也称为高温半导体材料整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作在半导体产业链中，半导体材料位于制造环节上游，和半导体设备一起构成了制造环节的核心上游供应链，不同于其他行业材料，半导体材料是电子级材料，对精度纯度等都有更为严格的要求，因此，芯片能否成功流片，对工艺制备过程中半导体材料的选取及合理使用尤为关键晶圆制造材料中，硅片为晶圆制造基底材料；光刻胶用于图形转移；电子特气用于氧化、还原、除杂；抛光材料用于实现平坦化。

封装材料中，封装基板与引线框架起到保护芯片、支撑芯片、连接芯片与PCB的作用，封装基板还具有散热功能；键合丝则用于连接芯片和引线框架根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8%；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%2019年全球封装材料中，封装基板占比最高，为48%；引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%二、 硅片硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，通常将95-99%纯度的硅称为工业硅沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，便生长出具有特定电性功能的单晶硅锭单晶硅的制备方法通常有直拉法（CZ）和区熔法（FZ），直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约95%，区熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率约4%。

熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，掺杂的硼（P）、磷（B）等杂质元素浓度决定了单晶硅锭的电特性单晶硅锭制备好后，再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后，便成为硅片根据纯度不同，分为半导体硅片和光伏硅片，半导体硅片要求硅含量为9N（99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之间即可，下游应用主要包括消费电子、通信、汽车、航空航天、医疗、太阳能等领域硅片制备好之后，再经过一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平区晶圆效率更高，可以生产更多的芯片。

半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺两种方式进行分类按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格自1960年生产出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越来越大，到2002年已经可以量产300mm（12英寸）硅片，厚度则达到了历史新高775μm当硅片尺寸越大，单个硅片上的芯片数量就越多，从而能够提高生产效率、降低生产成本300mm硅片是200mm硅片面积的2.25倍，生产芯片数量方面，根据SiliconCrystalStructureandGrowth数据，以1.5cm×1.5cm的芯片为例，300mm硅片芯片数量232颗，200mm硅片芯片数量88颗，300mm硅片是200mm硅片芯片数量的2.64倍根据应用领域的不同，越先进的工艺制程往往使用更大尺寸的硅片生产因此，在摩尔定律的驱动下，工艺制程越先进，生产用的半导体硅片尺寸就越大目前全球半导体硅片以12英寸为主，根据SEMI数据，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。

未来随着新增12英寸晶圆厂不断投产，未来较长的时间内，12英寸仍将是半导体硅片的主流品种，小尺寸硅片将逐渐被淘汰，但是8英寸短期仍不会被12英寸替代目前量产硅片止步300mm，而450mm硅片迟迟未商用量产，主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本，但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%，此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途径，因此厂商难以有动力投入450mm量产全球8英寸和12英寸硅片下游应用侧重有所不同，根据SUMCO数据，2020年8英寸半导体硅片下游应用中，汽车/工业/智能手机分列前3名，占比分别为33%/27%/19%；2020年12英寸半导体硅片下游应用中，智能手机/服务器/PC或平板分列前3名，占比分别为32%/24%/20%按照制造工艺分类，半导体硅片分为抛光片、外延片以及SOI硅片单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后，便得到抛光片抛光片本身可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，此外也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料外延是通过CVD的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。

因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，被广泛应用于制作通用处理器芯片、图形处理器芯片如果生长一层高电阻率的外延层，还可以提高器件的击穿电压，用于制作二极管、IGBT等功率器件，广泛应用于汽车电子、工业用电子领域SOI是绝缘层上硅，核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层，能够实现全介质隔离，大幅减少了硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应SOI硅片是抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成的，特点是寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强，因此适用于制造耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等，尤以射频应用最为广泛SOI硅片价格高于一般硅片4至5倍，主要应用中，5G射频前端（RF-SOI）占比60%，Power-SOI和PD-SOI各占20%市场规模方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模在经历了2015-2016年低谷之后，开始稳步上升，到2021年已达到126.2亿美元。

受益于中国大陆晶圆厂扩产的拉动，中国大陆半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模2012年为5亿美元，2017开始迅速增长，2021年已达到为16.6亿美元出货面积方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）2012年出货面积为90亿平方英寸，2020年为122.6亿平方英寸，2021年为141.7亿平方英寸单位面积硅片价格2009年为1美元/平方英寸，2016年下降到0.68美元/平方英寸，2021年回暖至0.99美元/平方英寸SOI硅片方面，由于应用场景规模较小，整体行业规模小于抛光片和外延片，根据SEMI及ResearchandMarkets数据，2013年全球市场规模为4亿美元，2021年为13.7亿美元，预计到2025年将达到22亿美元中国大陆SOI硅片市场规模2016年为0.02亿美元，2018年增长至0.11亿美元根据Soitec数据，随着通信技术从3G向4G、5G升级过程中，单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加，3G时为2mm2，4GLTE-A为20mm2，5Gsub-6GHz为52mm2，5Gsub-6GHz&mmW为130mm2在射频前端模组领域，在4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等，FD-SOI用于追踪器；在毫米波中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器以及开关，FD-SOI用于移相器、SoC等。

产能方面，根据ICInsights数据，2018年全球半导体硅片2.23亿片，2020年增长至2.6亿片，保持稳步增长态势在目前芯片供不应求的背景下，晶圆厂扩产将进一步推升硅片产能2020年全球硅片主要厂商中，前7大厂商合计占比94.5%，其中日本信越化学占比27.5%，排名第1；日本胜高占比21.5%，排名第2；中国台湾环球晶圆占比14.8%，排名第3；德国世创占比11.5%，排名第4；韩国SKSiltron占比11.3%，排名第5；法国Soitec占比5.7%，排名第6；中国大陆厂商沪硅产业占比2.2%，排名第7，也是唯一进入全球前7的中国大陆厂商三、 全面融入长三角一体化，建设高能级大都市区深度融入长三角一体化和长江经济带发展，积极引领浙江大湾区建设，唱好杭甬“双城记”，全面构建宁波都市区，加快形成“一核引领、两翼提升、三湾协同、多极支撑、全域美丽”市域发展总体格局，实现城市能级、功能、品质整体跃升一）深入落实区域重大战略深度参与长三角一体化制订参与长三角一体化发展标志性工程实施方案，滚动编制实施重大事项、重大平台、重大改革和重大项目清单，全方位对接中心城市，建设长三角一体化先行区。

深度对接上海“五个中心”建设，落实沪甬合作协议，推动科创、产业、金融、人才、教育、医疗、环保等重点领域合作，推动长三角新材料产业协同创新中心等一批实体项目落地，高水平共建沪杭甬湾区经济创新区高起点建设前湾沪浙合作发展区，积极承接上海非核心功能，打造上海配套功能拓展区二）优化市域城镇发展格局增强一核能级优化中心城区空间布局，推动“东揽、西拓、南融、北强、中优”，加强主城区与外围组团统筹联动，实现城市整体提升、拱卫发展，提升经济高度、人口密度和创新浓度提升以大运河文化、唐诗文化为底蕴的沿姚江、奉化江城市发展轴，加快建设以甬江为主轴的创新发展带，构筑镇海—高新区—东部新城—东钱湖的大东部新发展轴，规划建设江北慈城—姚江新城—空铁新城的城西发展轴增强泛三江口、东部新城、鄞州南部、镇海新城等核心板块发展活力，加强高端服务、总部经济、国际交流等功能塑造，打造城市功能核心区和高品质形象窗口精品建设鄞州中部、空铁新城、姚江新城、创智钱湖、北仑滨江、奉化宁南等重点板块，优化提升城西区域建设水平，加快推进庄桥机场搬迁，推动北仑凤凰城、大嵩—梅山湾等外围组团集约特色发展，高起点谋划宁波湾区域发展，加快配套完善、功能提升和人口集聚。

加速奉化全面融入中心城区，坚持以产兴城、以城促产，突出高新产业承接功能优化行政区划设置，加快推进全域城区化发展三）全面提升都市形象品质提升城市建设品质提高城市规划统筹水平，深化土地储备统筹管理，完善重要功能区块和重大基础设施市级统筹开发运营机制加强规划管控和整体设计，提升中山路、通途路等主干道路两侧立面形象，打造具有时尚元素、港城特色、江南韵味、国际气派的城市形态大力推行“XOD”开发理念，提高场站、学校、医院、公园等周边地块开发强度，建设大型功能混合生活组团高品质建设公共建筑、历史街区、公园绿地等重要节点，打造24小时城市活力中心强化地上地下空间综合利用，统筹推进地下管廊建设，到2025年建成干支综合管廊约50公里深化全域海绵城市建设，整体打造水系网络、城市绿道、文化紫道和慢行系统，推动三江六塘河等滨水空间建设，建设百公里沿河景观带、百公里沿湖步道、百公里滨海廊道四）着力增强城市核心功能依托三江六岸、新城新区和战略平台，统筹建设国际机构、研发创新、金融服务、总部经济、航运服务等集聚区，提高人才、知识、资本、信息、物流集聚能力，增强中心城区首位度和极核功能，辐射带动周边中小城市发展高标准建设浙江自贸试验区宁波片区，建设世界一流强港，打造世界级贸易物流枢纽。

高水平建设甬江科创大走廊，推动新材料、工业互联网、关键核心基础件三个科创高地建设取得重大突破，建设高素质人才发展重要首选地，打造优势领域科技创新中心深化国家普惠金融改革试验区和保险创新综合试验区建设，做强本土金融机构、地方金融组织和金融要素平台，加快现有法人机构综合化经营，积极争取金融牌照和开放试点，加强上市企业梯队培育，打造区域性金融中心高水平建设国际会议中心、国际博览中心，争办具有国际影响力的会议，提高大型活动承办水平，扩大对外交流合作，深化国际友城建设，发挥宁波帮和帮宁波人士作用，打造“一带一路”国际交往中心第三章 绪论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称宁波半导体技术推广项目（二）项目建设性质本项目属于新建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx有限公司（二）项目联系人范xx（三）项目建设单位概况公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献 未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。

公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业三、 项目定位及建设理由掩膜版主要由基板和遮光膜组成，其中基板又分为树脂基板、玻璃基板，玻璃基板按照材质可分为石英玻璃基板、苏打玻璃基板等，石英玻璃性能稳定、热膨胀率低，主要用于高精度掩膜版制作遮光膜分为硬质遮光膜和乳胶，硬质遮光膜又分为铬、硅、氧化铁、氧化铝到二〇三五年，宁波将基本实现高水平社会主义现代化，成为浙江建设新时代全面展示中国特色社会主义制度优越性重要窗口的模范生，实现地区生产总值、人均生产总值、居民人均可支配收入在2020年基础上翻一番——经济高质量发展跃上新的大台阶，人均生产总值达到发达经济体水平，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业农村现代化，成为全球先进制造业基地，现代服务业发展实现大跨越，形成高质量现代化经济体系。

——现代创新体系更加完善，关键核心技术实现重大突破，研究与试验发展经费支出占生产总值比重达到5%左右，建成科技强市、人才强市和高水平创新型城市——构筑开放互通、一体高效、绿色智能的海港陆港空港信息港联动发展格局，建成充分展示“硬核”力量的世界一流强港，成为国际性综合交通枢纽——内需拉动经济增长更为有力，实现内贸外贸一体化发展，参与国内国际经济合作和竞争新优势明显增强，成为贯通内外的国际贸易枢纽和国家重要战略资源配置中心——实现全域城区化同城化，城乡区域发展均衡协调，新型城镇化深入推进，城市能级大幅提升，成为长三角世界级城市群的高品质都市区——建成文化强市、教育强市、健康宁波，市民素质和社会文明程度达到新高度，文化软实力全面增强——广泛形成绿色生产生活方式，能源资源开发利用效率和生态环境质量达到国内领先水平，成为美丽中国先行示范区——实现市域治理现代化，形成国际一流营商环境，建成更高水平的平安宁波、法治宁波，成为开放包容、高效有序、安全韧性城市——城乡居民收入持续提高，人均可支配收入超过12万元，形成以中等收入群体为主的橄榄型社会结构，建成现代化公共服务体系，人民生活更加幸福美好，共同富裕率先取得实质性重大进展。

四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、本期工程的项目建议书2、相关部门对本期工程项目建议书的批复3、项目建设地相关产业发展规划4、项目承办单位可行性研究报告的委托书5、项目承办单位提供的其他有关资料二）报告编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论二） 报告主要内容投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。

五、 项目建设选址本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约19.00亩项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xx平方米半导体技术推广的生产能力七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积21937.45㎡，其中：生产工程14702.75㎡，仓储工程3340.51㎡，行政办公及生活服务设施2454.57㎡，公共工程1439.62㎡八、 环境影响该项目在建设过程中，必须严格按照国家有关建设项目环保管理规定，建设项目须配套建设的环境保护设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用各类污染物的排放应执行环保行政管理部门批复的标准九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金根据谨慎财务估算，项目总投资7351.94万元，其中：建设投资5555.07万元，占项目总投资的75.56%；建设期利息136.91万元，占项目总投资的1.86%；流动资金1659.96万元，占项目总投资的22.58%二）建设投资构成本期项目建设投资5555.07万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用4798.78万元，工程建设其他费用620.57万元，预备费135.72万元。

十、 资金筹措方案本期项目总投资7351.94万元，其中申请银行长期贷款2794.07万元，其余部分由企业自筹十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：13900.00万元2、综合总成本费用（TC）：11630.97万元3、净利润（NP）：1655.82万元二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：6.78年2、财务内部收益率：14.88%3、财务净现值：1446.27万元十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月十四、项目综合评价该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强综上所述，本项目是可行的主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积㎡12667.00约19.00亩1.1总建筑面积㎡21937.451.2基底面积㎡7980.211.3投资强度万元/亩284.672总投资万元7351.942.1建设投资万元5555.072.1.1工程费用万元4798.782.1.2其他费用万元620.572.1.3预备费万元135.722.2建设期利息万元136.912.3流动资金万元1659.963资金筹措万元7351.943.1自筹资金万元4557.873.2银行贷款万元2794.074营业收入万元13900.00正常运营年份5总成本费用万元11630.97""6利润总额万元2207.76""7净利润万元1655.82""8所得税万元551.94""9增值税万元510.61""10税金及附加万元61.27""11纳税总额万元1123.82""12工业增加值万元3832.79""13盈亏平衡点万元6133.33产值14回收期年6.7815内部收益率14.88%所得税后16财务净现值万元1446.27所得税后第四章 建筑工程方案一、 项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则，根据工艺需要，结合当地地质条件及地需条件综合考虑。

2、为满足工艺生产的需要，方便操作、检修和管理，尽量采取厂房一体化，充分考虑竖向组合，立求缩短管线，降低能耗，节约用地，减少投资3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间，主厂房设计成轻钢结构，各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构，实现轻型化，并满足防腐防爆规范及有关规定二、 建设方案（一）建筑结构及基础设计本期工程项目主体工程结构采用全现浇钢筋混凝土梁板，框架结构基础采用桩基基础，钢筋混凝土条形基础基础工程设计：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用人工挖孔现灌浇柱桩二）车间厂房、办公及其它用房设计1、车间厂房设计：采用钢屋架结构，屋面采用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础2、办公用房设计：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础3、其它用房设计：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础三）墙体及墙面设计1、墙体设计：外墙体均用标准多孔粘土砖实砌，内墙均用岩棉彩钢板2、墙面设计：生产车间的外墙墙面采用水泥砂浆抹面，刷外墙涂料，内墙面为乳胶漆墙面办公楼等根据使用要求适当提高装饰标准。

腐蚀性楼地面、地坪以及有防火要求的楼地面采用特殊地面做法依据建设部、国家建材局关于建筑采用使用的规定，框架填充墙采用加气混凝土空心砌块墙体，砖混结构承重墙地上及地下部分采用烧结实心页岩砖四）屋面防水及门窗设计1、屋面设计：屋面采用大跨度轻钢屋面，高分子卷材防水面层，上人屋面加装保护层2、屋面防水设计：现浇钢筋混凝土屋面均采用刚性防水3、门窗设计：一般建筑物门窗，采用铝合金门窗，对于变压器室、配电室等特殊场所应采用特种门窗，具体做法可参见国家标准图集有防爆或者防火要求的生产车间，门窗设置应满足防爆泄压的要求，玻璃应采用安全玻璃，凡防火墙上门窗均为防火门窗，参见国标图集五）楼房地面及顶棚设计1、楼房地面设计：一般生产用房为水泥砂浆面层，局部为水磨石面层2、顶棚及吊顶设计：一般房间白色涂料面层六）内墙及外墙设计1、内墙面设计：一般房间为彩钢板，控制室采用水性涂料面层，卫生间采用卫生磁板面层2、外墙面设计：均涂装高级弹性外墙防水涂料七）楼梯及栏杆设计1、楼梯设计：现浇钢筋混凝土楼梯2、栏杆设计：车间内部采用钢管栏杆，其它采用不锈钢栏杆八）防火、防爆设计严格遵守《建筑设计防火规范》（GB50016-2014）中相关规定，满足设备区内相关生产车间及辅助用房的防火间距、安全疏散、及防爆设计的相关要求。

从全局出发统筹兼顾，做到安全适用、技术先进、经济合理九）防腐设计防腐设计以预防为主，根据生产过程中产生的介质的腐蚀性、环境条件、生产、操作、管理水平和维修条件等，因地制宜区别对待，综合考虑防腐蚀措施对生产影响较大的部位，危机人身安全、维修困难的部位，以及重要的承重构件等加强防护十）建筑物混凝土屋面防雷保护车间、生活间等建筑的混凝土屋面采用Φ10㎜镀锌圆钢做避雷带，利用钢柱或柱内两根主筋作引下线，引下线的平均间距不大于十八米（第Ⅱ类防雷建筑物）或25.00米（第Ⅲ类防雷建筑物）十一）防雷保护措施利用基础内钢筋作接地体，并利用地下圈梁将建筑物的四周的柱子基础接通，构成环形接地网，实测接地电阻R≤1.00Ω（共用接地系统）三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积21937.45㎡，其中：生产工程14702.75㎡，仓储工程3340.51㎡，行政办公及生活服务设施2454.57㎡，公共工程1439.62㎡建筑工程投资一览表单位：㎡、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程4468.9214702.751806.841.11#生产车间1340.684410.82542.051.22#生产车间1117.233675.69451.711.33#生产车间1072.543528.66433.641.44#生产车间938.473087.58379.442仓储工程2074.853340.51342.372.11#仓库622.451002.15102.712.22#仓库518.71835.1385.592.33#仓库497.96801.7282.172.44#仓库435.72701.5171.903办公生活配套544.252454.57355.363.1行政办公楼353.761595.47230.983.2宿舍及食堂190.49859.10124.384公共工程877.821439.62152.26辅助用房等5绿化工程2261.0636.43绿化率17.85%6其他工程2425.7311.327合计12667.0021937.452704.58第五章 产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积12667.00㎡（折合约19.00亩），预计场区规划总建筑面积21937.45㎡。

二）产能规模根据国内外市场需求和xx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx平方米半导体技术推广，预计年营业收入13900.00万元二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1半导体技术推广平方米xx2半导体技术推广平方米xx3半导体技术推广平方米xx4...平方米5...平方米6...平方米合计xx13900.00PVD技术是制备薄膜材料的主要技术之一，指在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基板材料表面沉积具有某种特殊功能的薄膜材料的技术PVD技术已成为目前主流镀膜方法，主要包括溅射镀膜和真空蒸发镀膜用于制备薄膜材料的物质，统称为PVD镀膜材料。

第六章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力二、 建设区基本情况宁波位于东经120°55'至122°16'，北纬28°51'至30°33'地处我国海岸线中段，长江三角洲南翼东有舟山群岛为天然屏障，北濒杭州湾，西接绍兴市的嵊州、新昌、上虞，南临三门湾，并与台州的三门、天台相连宁波市地势西南高，东北低市区海拔4-5.8米，郊区海拔为3.6-4米地貌分为山地、丘陵、台地、谷（盆）地和平原全市山地面积占陆域的24.9%，丘陵占25.2%，台地占1.5%，谷（盆）地占8.1%，平原占40.3%宁波属北亚热带季风气候，温和湿润，四季分明全市常年平均气温16.4℃，平均气温以七月份最高，为28.0℃，一月份最低，为5.4℃全市无霜期一般为230天至240天多年平均降水量为1480毫米左右，五至九月占全年降水量的60%常年平均日照时数1850小时宁波是浙江省八大水系之一，河流有余姚江、奉化江、甬江，余姚江发源于上虞县梁湖；奉化江发源于奉化区斑竹余姚江、奉化江在市区“三江口”汇成甬江，流向东北，经招宝山入东海。

到二〇三五年，宁波将基本实现高水平社会主义现代化，成为浙江建。