MOS管与三极管做开关用法比较

MOS 管( MOSFET )的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=l*RDS(on)的电压VDS表示场效应管的漏极和源极 的电压，G表示栅极，丨表示流过DS的电流，RDS(on)表示导通电阻，一般为几百毫欧MOSFET的管压降，一般指的是静态压降只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面 的公式就可以计算岀来压降是多少了三极管■压降三极管的管压降Uce就是指集电极与发射极的电压一般情况下，CE极电压在0.3或者 0.3V 以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了， 也叫饱和电压正常三极管管压降为0.1-0.7V由于管压降Uce与集电极电流ic具有非线性的函数关系, Uce的大小随着Ice的增大，在一定的范围内增大通过Ic与Uce (饱和压降)的曲线图，就可以清晰的知道Uce的大小了对比应用通过初步计算，在流过相同的电流(小于100MA)的情况下，场效应管的管压降要比三 极管的管压降略低一般小于0.1V随着电流增大，三极管管压降最大达到0.7V左右下图为三极管的管压降示例图，一般在DATASHEET中都有给出■ -

导通电阻一般变化不 大，但是与VGS有关，VGS大导通程度也大，导通电阻就小如果RDS(on)=250MQ，流过电流为100MA，管压降VDS=0.025V图一为0.05V,图二 为 0.03V因此，可以看出，在实际开关应用中，如果要使被控的电压的压降尽量小，MOSFET比 三极管有略微的优势。